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在常溫下受熱激勵所產生的自由電子和空穴的數量很少，為提高半導體的導電能力，通常在半導體中摻入微量的有用雜質，制成摻雜半導體。摻雜半導體有N型有p型。 N型半導體自由電子數遠多于空穴數，這些自由電子是多數載流子，而空穴是少數載流子，導電能力主要靠自由電子，稱為電子型半導體,簡稱N型半導體。P型半導體空穴數遠多于自由電子數,這些空穴是多數載流子,而自由電子是少數載流子,導電能力主要靠空穴,稱為空穴型半導體,簡稱P型半導體.
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